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屏蔽栅MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET, SGT)功率器件栅电极,下半部分是屏蔽栅电极。

CoolSemi的SGT-MOSFET功率器件采用超深沟槽设计,屏蔽栅于源极短接,屏蔽掉了大部分Qgd电荷,大大降低器件的米勒电容,有效提升器件的开关速度,开关损耗更低,沟槽深度加深降低导通电阻,导通损耗更低。

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